在电学里头n通常指的是电子浓度那个数值。简单说就是单位体积里头有多少个自由电子在跑来跑去。比如说半导体材料里头，n越大说明电子越多，电流就越容易流动。这个数值跟材料特性有关，像硅晶体在常温下大概有1.5×10¹⁶个电子每立方厘米，而掺杂过的材料可能达到10²⁰个。

其实这个n的由来跟材料结构有关系。半导体材料里原子排列紧密，当温度升高或者掺杂杂质时，原本被束缚的电子就会变成自由电子。比如纯硅在300摄氏度时本征电子浓度大约是1.5×10¹⁶ cm⁻³，但如果掺入磷原子（施主杂质），每个磷原子能释放一个电子，浓度就能提升到10²⁰ cm⁻³。实验数据显示，当n超过10¹⁶ cm⁻³时，半导体就会从绝缘体变成导体。不过要注意的是，不同材料这个临界值可能不一样，比如锗的临界浓度比硅低30%。所以n的大小直接决定了材料的导电能力，这也是为什么电子工业里要精确控制掺杂量的原因。