晶片和掺杂剂一块儿熔炼成晶体管，晶圆是晶片加封装材料一块儿构成的。晶片先在高温炉里熔化硅单晶，冷却后切成圆形薄片，再贴保护层和散热胶，用金线连电极。晶圆厂一条产线能同时处理十二片晶圆，每片切割后得几百个芯片，28纳米工艺的晶圆边长300毫米，台积电前年良品率稳定在99.6%以上。

晶片切割抛光完，贴保护层加散热胶，金属线连电极一块儿弄。晶圆制造分七个大工序：硅锭拉晶、切片、清洗、离子注入、光刻蚀刻、离子注入二次、封装测试。比如28纳米工艺，光刻用193纳米浸没式光刻机，蚀刻精度要控制在±0.8微米。数据说话：单晶硅纯度99.%，掺杂磷浓度1.2×10¹⁶/cm³，晶圆缺陷率每平方厘米不超过0.5个。晶圆厂一条产线日产能30万片，封装后芯片数量超2亿个，但切割损耗约5%，所以实际产出1.85亿片。封装测试环节占成本35%，但良品率只要99.99%就行。