156毫米的硅片主要用于制造高压大电流的功率器件，比如IGBT模块和MOSFET。这类硅片直径约6英寸，厚度0.5到1毫米，能承受2000到5000伏电压，导通电流在50到200安培之间，具体瓦数取决于电压和电流的乘积。比如高铁变流器用的大功率模块，单颗器件瓦数可达2万瓦以上。

为什么说这是功率器件的瓦数？因为硅片尺寸决定了器件的承载能力。6英寸硅片相比4英寸，有效面积增加47%，能集成更多晶体管。根据国际半导体联盟数据，6英寸硅片生产的IGBT器件在1500V电压下，最大持续电流可达400A，按公式P=VI计算，单颗器件功率超过6000瓦。实际应用中，高铁牵引变流器模块常采用3到4片串联，总功率达6万瓦。但家用逆变器可能只用0.5到1片6英寸硅片，功率在1000瓦左右。这种差异源于不同场景对电压电流的需求，比如光伏逆变器需要低压大电流，而电动汽车电机控制器需要高压小电流。所以具体瓦数要看器件的电压等级和电流参数，不能一概而论。