ic制造主要分四步走：先拿硅片做光刻，把图案刻在硅片上；接着用化学药水把多余材料腐蚀掉，这叫刻蚀；然后喷一层金属或塑料保护层，叫沉积；把芯片装进塑料盒固定好，这叫封装。每步都差不得分毫，光刻机就卖1.5亿到3亿美元一台，蚀刻精度要控制在0.1纳米以内。

为啥是这个答案呢？首先光刻是开头大戏，得用超纯水洗硅片，再涂光刻胶，用紫外线照出电路纹路。比如台积电3纳米工艺要用193纳米光刻机，得把光波长压到13.5纳米才能刻出更小线宽。刻蚀分干法湿法两种，干法用等离子体轰击材料，湿法用酸碱腐蚀，但干法成本高30%以上。沉积要精确控制厚度，太薄芯片易断，太厚信号传输慢，现在5纳米芯片金属层得控制在3微米以内。封装更关键，松下公司测试发现，封装不良率每百万片会多出3000片废品。特别是测试环节，得用探针台同时测1000个焊点，测试时间要控制在30秒内，否则芯片会烧坏。所以每步都像走钢丝，差0.1微米就可能报废整批货。