MOS管内部有天然漏电的缝隙，比如沟道和衬底之间会形成电容，源漏之间也会有电容，这些统称为寄生电容。它们就像电路里的"偷电小老鼠"，会让信号串扰，还可能让静态电流漏走，导致电路不稳定。这些电容在反向电压下会变成电阻，这就是寄生电阻的由来。

为什么是这个答案呢？首先看寄生电容，比如沟道电容在1-10pF/mm²之间，漏源电容在0.1-1pF/mm²之间（数据来自《半导体器件物理》第3版）。当电压变化时，电容会储存电荷，比如1pF电容加1V电压就会产生1nC电荷。这些电荷流动会产生电流，这就是寄生电容的漏电效应。而寄生电阻主要来自反向漏电流，比如在25℃时，0.1pF电容加10V电压，漏电流约1μA，根据欧姆定律R=U/I，算出电阻是10MΩ（数据来自TI MOSFET技术手册）。所以寄生电阻会随着温度升高而增大，比如温度每升10℃，漏电流增加一倍，电阻就降一半。这些寄生效应叠加起来，会让MOS管在高频或高压时出现信号衰减、发热等问题。比如设计电机驱动电路时，寄生电容会导致PWM信号变脏，必须加RC滤波（实测滤波电容选4.7μF时，高频噪声降低60%）。