看mos内阻得用万用表测导通电阻，或者查参数表找标称值。不同mos管内阻差挺大，比如功率管导通电阻可能零点几欧姆，小信号管能到几十欧姆。

mos内阻主要看沟道长度和掺杂浓度，沟道越短掺杂越强内阻越小。比如2微米沟道的n沟mos导通电阻约0.1欧姆，而10微米沟道就到0.5欧姆。工艺技术也影响，光刻精度每提升一微米，内阻能降一半。温度升高时内阻会变大，25℃到100℃温差会让电阻值翻倍。选mos时得看工作电流，比如10a电流下0.2欧姆内阻压降才2伏，0.5欧姆就压到5伏。

（模拟后效果：

看mos内阻得用万用表测导通电阻或者查参数表找标称值不同mos管内阻差挺大比如功率管导通电阻可能零点几欧姆小信号管能到几十欧姆mos内阻主要看沟道长度和掺杂浓度沟道越短掺杂越强内阻越小比如2微米沟道的n沟mos导通电阻约0.1欧姆而10微米沟道就到0.5欧姆工艺技术也影响光刻精度每提升一微米内阻能降一半温度升高时内阻会变大25℃到100℃温差会让电阻值翻倍选mos时得看工作电流比如10a电流下0.2欧姆内阻压降才2伏0.5欧姆就压到5伏）