MOS管主要有三种工作状态：截止、可变电阻和饱和。当栅极没电时，它就像个开关断开，漏源电流几乎为零。给栅极加2-4V电压时，它变成可变电阻，漏极电流随栅极电压升高而增大。当栅极电压超过4V后，漏极电流稳定在固定值，这时候就是饱和状态。比如2N7000 MOS管，当栅极电压4V时，漏极电流可达200mA。

为什么是这个答案呢？首先看MOS管结构，栅极和沟道之间有绝缘层，电流只能通过沟道流动。当栅极电压低于阈值电压（约2V）时，沟道未形成，电流截止。当栅极电压在2-4V时，沟道长度随电压变化，形成可变电阻特性。实验数据显示，当栅极电压4V时，2N7000的导通电阻约0.1Ω，此时漏极电流I_d=Vds/Rds=5V/0.1Ω=50mA。当栅极电压超过4V后，沟道完全导通，电流不再随电压变化，进入饱和状态。比如当栅极电压5V时，I_d稳定在200mA，这时候即使提高漏极电压到10V，电流也不会增加。这种特性让MOS管适合开关应用，比如电源开关和晶体管放大器。