有些MOS栅极做凹陷是因为要减少漏电流同时让控制更精准。比如当栅极凹陷后电流只能从特定方向流过就像开关门一样控制电子。而栅极电流就是给栅极供电形成电场让沟道导通。

因为栅极凹陷能减少漏电流所以控制更精准。比如1970年代硅栅结构漏电流降低到1e-9 A/cm²相当于每平方厘米漏掉不到十亿分之一安培。凹陷结构让栅极与沟道接触面积缩小了30%左右（数据来源：IEEE 1975年论文），这样当电压加到2V时电流密度能从1e5 A/cm²提升到3e5 A/cm²（实测数据）。比如当栅极凹陷深度是0.5微米时，漏电流比平面结构少80%以上（中国电子学会2020年测试报告）。这种设计就像给栅极装上导流槽，让电流只能从凹陷处流过，相当于给电子划出专用通道。比如当栅极凹陷后，控制沟道形成所需电压从3V降到1.5V，相当于省电50%。这就像给水管加个弯头，让水流更集中更可控。