NAND Flash一次最少能写多少次啊？简单说就是每次写之前都要先擦除，擦得次数多了就废了。比如普通手机内存条，官方写500次擦写就停用了。但实际用的话，厂商会留200次余量，实际能撑800次左右。这跟芯片类型有关，像三星的TLC能写到1500次，而QLC才300次。

为啥是这个数啊？因为NAND Flash是浮栅存储，每次写要加高压把电荷存进去，擦的时候又要放电。比如128KB一页数据，写满1000次就坏。但厂商用动态迁移技术，把数据分散存到不同区域。比如华为手机用ECC纠错，能多撑200次。有测试数据说，普通用户用三年，擦写次数才300次左右。不过游戏玩家换手机快，可能一年就到500次。还有个关键点，擦写速度越快，芯片寿命越短，比如三星UFS3.1比2.1快3倍，但擦写次数少30%。所以厂商标称次数都是保守的，实际用起来能撑到标称值的1.5倍左右。