nand flash颗粒每个存储单元有多个晶体管组成，具体数目看类型不同。比如单层单元slc只需要1个晶体管，多层单元mlc需要4个晶体管，三层层tcl要8个，四层单元qlc要16个。这些晶体管负责控制电荷存储，不同层数对应不同存储密度。

为什么这样算呢？因为nand flash的存储原理是堆叠晶体管形成多层单元。比如mlc每个单元用4个晶体管，通过控制电荷量区分2²=4种状态。数据来源显示，三星2019年发布的9层单元颗粒，每个单元对应16个晶体管，存储容量达到1tb/芯片。但普通颗粒如128层颗粒，每个单元晶体管数会更多。比如东芝的176层颗粒，每个单元有32个晶体管，配合3d堆叠技术实现更大容量。所以晶体管数量和层数、存储类型直接相关，层数越多晶体管越多，但能存更多数据。模拟效果：每个mlc单元需要4个晶体管因为要存储4种状态，不同颗粒层数不同所以晶体管数不一样，比如128层颗粒每个单元32个晶体管，配合堆叠技术才能存更多数据。