二极管开启电压是因为正向导通需要克服内阻压降反向电压下材料内阻大电流微弱。当电流方向从正极到负极时电压降小容易导通，反过来电流方向时电压升高材料阻碍大。比如硅管导通压降约0点七伏锗管约零点三伏。

二极管开启电压和反向特性跟材料结构有关。正向时载流子多内阻小电流容易通过，反向时载流子少内阻大电流被限制。实验数据表明当正向电压超过材料特性值（硅0.7V锗0.3V）电流骤增，反向电压达几十伏时电流仍小于微安级。比如1N4007正向压降0.7V时电流可达1A，反向电压50V时电流仅5uA。这种特性是半导体掺杂工艺决定的，P区N区交界处形成耗尽层需要克服能带势垒。当正向偏置时耗尽层变窄载流子扩散增强，反向偏置时耗尽层加厚阻碍载流子运动。所以二极管就像单向阀门，正向开反向关。