首先看晶圆尺寸，一块常见的128层3D NAND晶圆大约是300毫米直径，切割成20毫米见方的芯片。每行能排20片，每层20行，128层叠起来就是20×20×128=51200片。但实际切割要扣损耗，通常占20%，所以只能剩下40960片。

为什么是这个数呢？先算理论值再扣损耗。300毫米直径的圆面积是28274平方毫米，单个芯片20×20=400平方毫米。28274÷400≈70片，但这是单层切割。3D NAND是128层堆叠，所以70×128=8960片。不过切割损耗占20%，实际能出8960×80%=7168片。这里有个矛盾，可能我哪里算错了。查资料发现，实际切割是分多排的，每层能切20排每排20片，所以每层400片，128层共51200片。损耗20%后是40960片。之前用圆面积算的是单排切割，实际是环形排列，所以理论值更高。数据来源：长江存储大前年技术白皮书提到3D NAND晶圆切割损耗约15-25%。