半导体内部正负电荷数量相等才叫电中性。导电时载流子数量保持平衡，温度升高会激发更多载流子但平衡被破坏，导致电荷运动加剧发热。比如硅片常温下电中性稳定，加热到100℃后载流子浓度翻倍，电流增大产生热量。

半导体电中性源于内部电荷平衡，当温度升高时禁带中电子跃迁概率增加。以硅为例，禁带宽度1.1eV，室温300K时本征载流子浓度约1.5×10¹⁶/cm³。温度每升高10℃载流子浓度翻倍，导电时电子和空穴移动碰撞产生焦耳热，公式Q=I²Rt显示电流平方与电阻率（20℃时约2300Ω·cm）共同决定发热量。电阻率随温度升高下降，但载流子浓度激增导致总电流增大，能量最终以热能形式散失。实验数据显示，1mm²硅片通5A电流时，100℃温差下功率损耗达25W/cm²。