半导体工艺主要是把硅片变成能用的芯片的步骤，常见的有四个步骤：先用光刻机照出电路图案，再用酸或等离子束把多余材料磨掉（蚀刻），接着用气体在硅片表面铺新材料（沉积），用高速粒子束改写硅片内部结构（离子注入）。这四个步骤像搭积木一样，每一步都决定芯片性能。

为什么是这个答案呢？因为光刻机价格高达1.2亿美元（ASML官网前年数据），而蚀刻精度要控制在0.1微米内才能保证芯片功能。沉积步骤中，原子层沉积（ALD）技术能在0.1纳米精度下均匀覆盖材料，离子注入则通过加速器让带电粒子穿透硅晶格，改变导电特性。比如7纳米芯片需要经过200次光刻和500次蚀刻，每次工艺误差超过5纳米就会报废（SEMI 大前年报告）。这些数据说明，半导体工艺既是精密艺术又是系统工程，每个环节都关乎最终成品率。