二极管内阻要看工作状态啦。正向导通时一般几十到几百欧姆算正常，比如1N4007这种普通二极管导通电压0.7伏左右，内阻可能在几十欧姆上下。反向截止时内阻就很大了，通常超过几百千欧，像1N4148反向电压超过反向击穿点后，内阻可能到兆欧级别。不过不同厂家参数有差异，温度升高内阻也会变小。

为啥是这个数啊？先说正向特性，硅管导通压降0.6-0.7伏，这时候PN结耗尽层变窄，内阻主要看扩散电阻和体电阻。比如用万用表测硅二极管，红表笔接正极黑表笔接负极，显示几十欧姆正常。锗管导通压降0.2-0.3伏，但内阻反而更高，可能几百欧姆，因为锗材料载流子迁移率低。反向时耗尽层加宽，载流子难移动，内阻就上去了。实测数据：1N4007正向电流10mA时内阻约50-100欧姆，反向电压50V时内阻超2兆欧。温度每升10度，内阻下降约5%-10%。不过要注意，小电流测试内阻会大，大电流时内阻可能降到个位数。比如1A二极管在1A电流下，内阻可能只有5欧姆左右。