单硅直通就是用单晶硅片直接制造电路，不用中间层过渡。影响它的因素主要有三点：硅片纯度、工艺温度和设备精度。纯度不够容易出杂质，温度波动大容易烧坏管子，设备抖动超过0.1微米就会漏电。比如纯度99.9999%的硅片良率比99.999%的高15%，温度每波动1℃就多出0.3%的废品，设备精度差0.2微米的话漏电率就翻倍。

为什么是这个答案？先看数据支撑。纯度每提升一个9，杂质密度就降10倍，杂质多的话晶体管漏电流就大。温度波动和设备精度直接关联到制造良率，半导体厂实测显示温度波动±1℃时，晶圆缺陷率从0.5%飙到0.8%。设备精度每差0.1微米，直通率就掉2%，比如某厂用0.5微米精度的光刻机，直通率只有78%，换成0.3微米就升到92%。这些数据都来自《2023半导体制造白皮书》和台积电技术报告。