晶闸管IGBT MOSFET这些元件在特定条件下会卡住电流电压无法自动关闭。比如晶闸管导通后电流超过擎住值就卡死，IGBT在高温下擎住电流更低，MOSFET在栅压消失后也可能残留电流。

因为它们内部结构特殊当达到擎住电流阈值时载流子就会形成稳定路径就像链条卡死一样即使控制信号消失电流还是能持续流动比如晶闸管擎住电流通常在10到50毫安之间IGBT的数据是0点1到5毫安而MOSFET则在0点5到2毫安之间。这跟材料特性有关比如硅基器件需要更大电流触发擎住效应而碳化硅器件在同等电压下擎住电流更低。实验数据显示晶闸管在30毫安时擎住时间可达10毫秒以上IGBT在2毫安时擎住时间约5微秒。