场效应管结构简单，没活动晶体管部分，所以受辐射影响小。温度变化时参数稳定，工作点不漂移。比如航天器上用的MOS管，能扛住百万电子伏特辐射，寿命比双极型管长三倍。

场效应管没活性载流子，只有多数载流子在沟道里跑。辐射主要破坏带电粒子，而它没带电的栅极绝缘层，所以抗辐射强。温度每升10度，阈值电压才涨0.2%左右，NASA实测数据证明，在-55到125度都能保持80%以上良率。对比之下，双极型管温度每变10度，电流就波动5%以上。比如航天级3uM工艺的PMOS，抗辐射剂量达1E6rad(Si)，而双极型管只能到1E5rad(Si)。温度特性好还因为沟道长度短，热电子效应弱，所以工作电流受温度干扰小。但要注意，强辐射下漏电流会涨三倍，得加屏蔽层。