场效应管带阻尼是因为沟道电荷移动遇到阻力，就像推箱子遇到障碍，这样电流变化慢，稳定工作。输入阻抗高是因为栅极不直接连电路，只有电场控制，电流几乎不流进栅极。

因为场效应管工作时，沟道里的电子或空穴移动时会撞到离子杂质，产生类似刹车片的阻力，这就是阻尼效应。比如MOS管沟道长度1微米时，阻尼导致的电流变化率比电阻型晶体管低两个数量级（从10^-6 A/μs降到10^-8 A/μs）。输入阻抗高是因为栅极和沟道之间隔着2-3纳米的二氧化硅绝缘层，电阻率高达1e12欧姆。当栅极电压变化1伏时，沟道电荷移动需要克服电场力做功，所以输入电流几乎为零。就像用高压线控制大水阀，线本身不沾水，这就是高输入阻抗的原理。