场效应管输出电阻小，因为场效应管是电压控制器件，栅极电压控制漏极电流，源漏间电阻主要由沟道长度和宽度决定。比如结型场效应管输出电阻几十到几百欧姆，而MOS管更低，工艺好的可能只有几欧姆。和双极型晶体管相比，场效应管输出电阻小很多，适合做低阻负载的开关。

场效应管输出电阻小，主要是因为它的导通方式不同。场效应管靠多数载流子（电子或空穴）移动形成沟道，沟道电阻Rds(on)通常小于1千欧，而双极型晶体管导通时基区电阻和饱和压降会叠加，总输出电阻可达几十千欧。以2N7000 MOS管为例，Rds(on)是50毫欧，换算成电阻约5欧姆；而2N2222双极管饱和压降Vce(sat)0.3V，当负载电流1A时电阻就是300欧姆。工艺进步让MOS管Rds(on)更低，比如0.1欧姆的IGBT，而双极型管受限于载流子寿命，输出电阻很难低于1千欧。所以场效应管输出电阻确实小，适合高频高速电路，比如开关电源和电机驱动。