场效应管儿是靠栅极电压来控制电流的。电流从漏极出，从源极进。栅极电压高低决定了漏源电流大不大。就像拧水龙头开关，栅极电压拧得越高，漏源电流就流得越快。

场效应管儿内部有个导电沟道，栅极电压往沟道里一加，就给沟道撑开个口子。这个口子越宽，电流就越大。比如MOS管儿，当栅极电压超过2V（不同材料数值不同），沟道就撑开了。这时候漏极电流I_D和栅极电压V_Gs的关系是I_D = k(V_Gs - V_T)^2（k是跨导系数，V_T是阈值电压）。比如V_T是3V，当V_Gs升到5V时，I_D就变成k(5-3)^2=4k。这时候漏极电阻就变成1/I_D=1/4k。而结型场效应管儿（JFET）的漏极电流在饱和区是I_D = I_DSS(1 - V_Gs/V_P)^2（I_DSS是饱和电流，V_P是夹断电压）。比如I_DSS是10mA，V_P是-8V，当V_Gs=-4V时，I_D=10mA(1 - (-4)/-8)^2=10mA(1-0.5)^2=2.5mA。所以栅极电压往负方向降，漏极电流就跟着降。这两种管儿都是用电压来控制电流，但MOS管儿输入阻抗更高，适合做开关；JFET输入阻抗低一些，适合做放大。比如晶体管儿电路里，MOS管儿漏极电流能调到毫安级，而JFET在同样电压下可能只能调到微安级。不过现在都流行用MOS管儿了，因为电压控制更方便，功耗也更低。