场效应管分p沟道和n沟道，主要看导电材料不同。p沟道用空穴导电，n沟道用电子导电。当栅极电压高于源漏极时，p沟道会形成导电通道让电流通过，电压降低就截止。

p沟道和n沟道区别在于载流子类型。p型半导体掺硼，空穴多；n型掺磷，电子多。空穴导电需要正电压吸引，电子需要负电压排斥。比如硅的禁带宽度1.12eV，空穴迁移率约450cm²/(V·s)，电子约1500cm²/(V·s)。当栅极电压-2V时，p沟道电阻下降到10kΩ；电压升到0V时电阻恢复到1MΩ。所以控制电压能精准调节导通程度，像开关一样工作。