场效应管的G结电容不是固定值，它会随着工作状态变化。当漏源电压为零时电容最大，随着电压升高逐渐减小，最终趋近于零。这个变化主要由两个因素决定：一个是沟道长度和宽度比例，另一个是材料特性。比如2N7000晶体管在Vds=0时G结电容约3.5pF，当Vds=20V时降到0.8pF。

为什么G结电容会变化呢？因为场效应管工作时，沟道电荷分布会受漏极电压影响。当Vds=0时，沟道电荷层最厚，等效电容最大；随着Vds增大，沟道被夹断区分割成多个小电容，总电容就像拼积木一样逐渐减少。实验数据显示，沟道长度每增加1μm，电容下降约0.2pF。而材料中的载流子迁移率不同，也会让不同型号的场效应管电容值产生差异。比如用硅材料比锗材料电容小30%，但耐压更高。这种特性让场效应管在高频电路中需要特别考虑电容变化带来的影响，特别是在开关电源和射频电路里，Vds每升高1V，电容下降速度就加快0.15pF。