开关电源损耗主要和开关频率、导通电阻、二极管反向恢复时间以及负载变化有关。开关频率越高，损耗就越大，因为每次开关动作都会产生固定损耗。导通电阻越大，电流通过时产生的热量就越多，比如MOS管导通电阻每增加10%，损耗可能增加5%。二极管反向恢复时间过长，会导致关断时产生额外电压波动，比如肖特基二极管比普通二极管少损耗0.2瓦。负载变化时，占空比调整需要额外损耗，空载时损耗可能占整机损耗的30%。

开关频率越高损耗越大，这是因为每个开关周期都有固定损耗。比如开关频率从100kHz升到200kHz，损耗可能翻倍，因为动作次数翻倍了。导通电阻影响电流的热效应，实测数据表明导通电阻每增加10Ω，损耗增加5%。二极管反向恢复时间每增加1微秒，关断损耗就增加0.3%，比如普通二极管是5微秒，肖特基是0.8微秒。负载变化时占空比调整需要额外损耗，空载时占空比可能从50%降到5%，导致损耗激增。实验数据显示，当负载从满载降到空载时，开关损耗可能增加3倍。这些因素相互叠加，比如高频+高导通电阻+长恢复时间的组合，损耗可能达到整机损耗的40%。