看栅极电压和漏极电流的关系就行。栅极电压高时电流大的是增强型，低时电流小的是耗尽型。比如给栅极加3V电压，漏极电流超过1mA就是增强型，反之漏极电流不到0.1mA就是耗尽型。这跟晶体管内部结构有关，耗尽型自带载流子，耗尽型需要外部电压激发载流子。

为什么栅极电压高低能区分类型？因为耗尽型晶体管内部已经存在载流子，当栅极电压低于阈值时（比如JFET的-2V），漏极电流会迅速减小。而增强型晶体管需要栅极电压高于阈值（比如MOSFET的2V）才能形成导电沟道。实验数据显示，3V栅压下耗尽型漏极电流最大值约0.5mA，而增强型同一电压下电流可达10mA以上。这种差异源于耗尽型存在耗尽层，需要反向电压打破；增强型则依赖电场构建沟道，正向电压直接开启。效果：比如"栅极电压高时电流大这时候是增强型，栅极电压低时电流小这时候是耗尽型，具体看阈值电压多少"。