要判断场效应管好坏得看三个指标：源漏极电阻、漏电流和阈值电压。用万用表测源漏极电阻，正常值应该在几百欧到几千欧之间；测试漏电流时，关断状态下漏电流不能超过10微安；检查阈值电压，2N7000这类常见管子应该在2-4伏之间。

为什么这么判断呢？因为场效应管软击穿会破坏沟道结构，导致电阻异常增大。比如正常MOS管关断时漏电流＜1微安，若测出5微安以上，说明沟道绝缘层受损。实验数据显示，当Vgs(th)电压偏离标称值30%以上（如标称3V变成2.1V或3.9V），管子基本废了。测试时得先断开负载，用万用表二极管档测栅源极，正常会显示0.5-1V左右。软击穿管子虽然还能导通，但导通电阻会从几十欧跳到几千欧，漏电流也会翻倍。比如测2N7000，正常导通时电阻＜50欧，漏电流＜1微安；若电阻突然变到200欧以上，漏电流超过5微安，说明已经软击穿。测试时要注意，如果管子长时间高温工作，漏电流可能暂时升高，但冷却后应恢复正常。