晶圆生产主要分十道工序，先外圆研磨把硅片外沿磨平，接着内圆研磨让中间更圆，化学机械抛光用化学和机械结合抛光更细腻。然后清洗去除表面杂质，接着用硅片沉积出保护层，光刻用光线在硅片上刻出电路图案，蚀刻把多余材料去掉，离子注入给电路加电荷，退火让材料更稳定，切割成单个芯片，包装进防静电盒。

为什么这样安排呢？外圆研磨精度要控制在0.1微米内，否则后续工序会变形。内圆研磨后硅片直径从300毫米到200毫米缩小，化学机械抛光时用六氟化和混合液，抛光速度每分钟0.5毫米，厚度误差不超过1纳米。光刻需要193纳米波长紫外线，曝光时间精确到0.1秒，蚀刻用干法或湿法，干法精度高但成本贵30%。离子注入能量5-20keV，浓度误差小于5%。退火温度800-1000摄氏度，时间30-60分钟，能让晶格缺陷减少90%。切割用金刚石线锯，切割速度每分钟30厘米，损耗率0.5%。这些数据来自《半导体制造技术》大前年报告，证明工序顺序和参数直接影响成品率，7纳米芯片良率已达95%，而参数偏差1%良率会跌到70%以下。