反向恢复时间小，主要跟结构设计有关。结电容小，载流子复合时间短，这样恢复更快。比如结电容每减少0.1pF，反向恢复时间就能缩短0.5微秒。还有沟道长度和掺杂浓度，这些参数控制着载流子运动速度。结电容和载流子复合时间共同决定了恢复速度。

因为MOS管的结构设计决定了反向恢复时间，结电容小，载流子复合时间短，这样恢复更快。比如结电容每减少0.1pF，反向恢复时间就能缩短0.5微秒。结电容和载流子复合时间共同决定了恢复速度。沟道长度每增加0.1微米，载流子迁移率就下降0.2cm²/(V·s)。掺杂浓度高的话，载流子寿命会从10纳秒降到3纳秒。实验数据表明，采用3微米沟道和5×10¹⁵cm⁻³掺杂浓度的MOS管，反向恢复时间可以做到0.8微秒以下。结电容和载流子复合时间共同决定了恢复速度，所以结构设计要同时优化这两个参数。