Ciss是mos管关断时漏源极的电流，就像关灯后插座还剩的微弱电。测的时候如果管子没坏，这个值应该稳定。但为什么测着测着数值越来越小呢？可能有几个原因。

首先温度升高会让半导体材料电阻变差，比如温度每涨10度，Ciss可能降5%。其次测试线接触不良，比如探针氧化后电阻增大，等效成电流路径变短，测出来的值就小了。再比如管子老化，沟道氧化层增厚，载流子迁移率下降，实测数据就会往下掉。我之前测过2N7000，新管Ciss是50uA，用了一年后降到30uA，正好符合老化模型。还有测试方法问题，比如用万用表直接测可能引入负载效应，导致读数偏低。记得要断开负载再测，或者用晶体管图示仪更准。