死区电压大约是零点五到两伏，这是电子元件导通前必须克服的电压。比如晶体管需要零点五到一点五伏，IGBT可能到两伏。因为材料特性导致载流子无法瞬间移动，需要额外电压。

为什么是这个数值呢？首先看半导体材料特性，硅的禁带宽度是1.1电子伏特，换算成电压约零点七伏。但实际应用中要克服体电阻和结电容，所以数值会更高。比如MOSFET的导通电压通常在零点五到零点八伏之间，而IGBT因为多层结构，需要叠加门极电压和结电压，总死区电压可能达到1.5到2伏。实验数据显示，当温度从25℃升到100℃时，死区电压会下降0.1到0.3伏，这是因为载流子迁移率提升。不过具体数值还要看元件型号，比如英飞凌的IGBT250V型号死区电压是1.8±0.2伏，而安森美MOSFET的Vgs(th)是0.65到1.2伏。所以实际应用中得参考参数表，不能一概而论。