芯片造不出来主要有三样东西卡脖子，光刻机像绣花针，材料要纯度99.9999%，制程缩小到纳米级。光刻机得用极紫外光，ASML的EUV光刻机要7.5亿美元，材料提纯要电解液反复净化，台积电3nm制程良率只有60%。

因为光刻机得用0.03纳米的极紫外光，比头发丝细100倍，得在真空中操作，温度误差不能超过0.1度。材料纯度要99.9999%，相当于每吨材料里只能有0.01克杂质，电解液提纯要经过12道工序。制程缩小到7纳米，晶体管密度涨了10倍，但漏电问题翻倍，台积电3nm良率从5nm的76%降到60%，每代成本涨10倍。光刻机得用液浸式镜头，镜头组有4000块镜片，对准误差要小于0.1纳米，相当于在头发丝上绣花。材料提纯用电子束轰击硅石，得把杂质赶跑，电解液要循环净化300次，成本占芯片总价30%。制程缩小到3纳米，光刻机得换新镜头，EUV光刻机只能做3nm以下，但每台要停机半年校准，台积电3nm良率60%意味着每100片芯片有40片报废。