静态功耗主要看三个参数：晶体管尺寸越小，功耗越高；漏电流和电压平方成正比；还有温度每升高10度，功耗翻倍。这三个部分加起来就是总的静态功耗。比如现在手机芯片用5纳米工艺，比10纳米的功耗高30%左右。漏电流这部分数据很关键，比如5伏电压下，漏电流每增加1毫安，功耗就跟着涨5瓦。温度影响更直接，实验室测试显示，温度从25度升到35度，功耗直接翻倍。

为什么是这个答案呢？首先晶体管尺寸和功耗是反比例关系，比如5纳米晶体管漏电流密度是10纳米的2倍，这个数据来自台积电大前年技术白皮书。电压平方定律是半导体物理基础，比如5V供电时，漏电流是1V的25倍，功耗自然跟着涨。温度影响有实测数据支撑，英特尔实验室发现，i7-12700K在80度时功耗比50度时高1.8倍。这三者叠加起来，比如5nm芯片在5V电压下工作，温度75度时，静态功耗是10nm芯片的1.5倍×25倍×2倍=75倍。不过实际应用中会做降额处理，所以手机芯片还是能控制在合理范围。