锗管熔点九百三十二度，硅管一千四百一十四度。锗管一般用塑料封装，耐温三百多度就变形；硅管多用陶瓷封装，能扛六百度以上高温。两者材料熔点差异大，但实际使用中得看封装材料。

锗管熔点九百三十二度硅管一千四百一十四度，这个数据跟材料本身和封装方式有关。锗单质熔点确实比硅低，但工业上用的锗管多配塑料壳，塑料在三百多度就会软化。而硅管虽然材料熔点高，但早期封装也受限制。现在高端硅管用陶瓷壳，耐温六百度没问题，比如常见TO-220封装能到百度多度。数据来源《半导体器件物理》里说锗熔点932K，硅1414K，但实际器件要看封装材料。比如你手头有个老式锗二极管，塑料壳在夏天高温天可能变形漏电，而新硅管在烤箱里烤两小时都没事。所以熔点数据得拆开说，材料熔点和器件耐温是两码事。