首先看晶圆切割，把硅片切成小方块再光刻蚀刻。光刻机照着掩模版在晶圆上刻电路，接着用酸碱腐蚀露出线路。然后做离子注入改变晶体导电性，切割成单个芯片封装测试。整个过程在超净车间用液氮冷却，防止灰尘影响精度。

为什么是这个答案呢？因为现代CPU确实从晶圆开始，比如台积电3nm工艺需要切割18英寸硅片，切成约5000个芯片。光刻机精度要求0.3微米，蚀刻深度误差不能超过0.1微米。离子注入电压要精确到千伏级，否则会烧毁晶体管。封装测试阶段良品率约90%，每片晶圆最终产出约250颗芯片。这些数据说明晶圆切割和光刻蚀刻是核心步骤，就像做蛋糕要先切面团再印花纹，才能烤出合格产品。