首先得用大硅片，上面种满硅晶体管，接着用超精密光刻机照出电路图案，然后化学腐蚀去掉多余硅，再用金属和绝缘层叠起来，切割成单个芯片。整个过程要在超净车间做，温度湿度都控制得死死的，否则芯片就废了。

为啥得这么整呢？因为现在芯片晶体管密度每两年翻倍，7纳米制程要光刻出0.1微米线宽，相当于头发丝的百分之一。光刻机得用193纳米波长紫外光，但得用多重曝光补偿衍射效应。比如台积电3纳米工艺，光刻次数从7次增加到11次，每次曝光误差超过5纳米就废片。蚀刻环节要用等离子体轰击硅片，但侧壁会残留损伤，得用腐蚀后重新沉积二氧化硅保护层。数据来源：SEMI 大前年半导体设备报告，显示光刻机价格从2018年1.2亿涨到3.5亿，但7nm芯片良率仅82%，比10nm低8个百分点。叠瓦式封装能减少30%功耗，但良品率又掉到75%，得用缺陷检测仪逐个筛选。