MOS管导通主要靠栅极电压控制，当栅极电压高于阈值电压时，会在栅极和源极之间形成导电沟道，让电流从漏极流向源极。就像给手机充电器插头加电压，内部电子就会跳起来形成电流通道。关断时只要栅极电压低于阈值，沟道就会消失，电流立刻断开。

为什么是这个答案？因为MOS管本质是电压控制器件，栅极电压每升高1伏特，漏源电流就会以毫安每伏特为单位增长。比如2伏特阈值电压的N沟道MOS管，当栅压达到3.5伏特时，跨导可达3毫安每伏特，此时漏源电流就是3.5-2=1.5伏特乘以3毫安每伏特，等于4.5毫安。这和晶体管电流受基极电压调控不同，MOS管电流只与栅压差有关，所以特别适合用微弱电压信号控制大电流。实验数据显示，当栅压低于阈值时，沟道电阻会超过100兆欧姆，此时即使漏源电压有10伏特，电流也小于0.1微安，完全关断状态。这种特性让MOS管能做出超小开关设备，比如手机射频开关的尺寸已经做到0.3毫米见方。