输入电阻就是栅极和源极之间那个电阻。要算这个值得看两个情况，要么用万用表直接测，要么用公式算。测的时候得断开其他电路，用欧姆档看显示数值。公式的话要看工作状态，饱和区和非饱和区公式不一样。比如饱和区公式是Rin=Vgs/(Id/Kn)，非饱和区得复杂点。

为什么得这样算呢？因为MOS管栅极和二氧化硅绝缘层很薄，相当于电容。静态时这个电容没电荷，电阻很大，测出来通常1GΩ到10TΩ。但交流信号会形成充放电电流，这时候要看频率。比如1MHz信号下，输入电容约1-10pF，用R=1/(2πfC)算的话，1pF电容下电阻才160kΩ。所以开关电路里常当无穷大处理，高频电路才考虑电容分压。手册数据是典型值，实际得结合温度和工艺波动。比如TSMC 0.18μm工艺的NMOS，栅极电阻标称值3GΩ，实测可能在2.5-3.5GΩ之间波动。测的时候如果线路没断开，或者有漏电流，数值会明显下降。所以既要看公式，也要看实际电路条件。