关断时栅极电压高于源极，让沟道里的电子无法移动，电流被切断。这时候损耗主要来自导通电阻产生的热量，还有漏电流产生的微小电压降。比如1A电流流过10mΩ的导通电阻，每秒就会产生0.1瓦的损耗。关断状态虽然电流小，但长时间保持高电压也会让漏电流慢慢发热。

关断损耗为什么是这个样子的呢？首先MOSFET内部结构有沟道和二氧化硅绝缘层，关断时栅极电压拉高，二氧化硅层产生强电场，把沟道里的载流子全部赶走。这时候导通电阻Rds(on)是主要损耗源，比如IRFZ44N的Rds(on)是18mΩ，1A电流就会产生1.8W损耗。但漏电流虽然小，比如-2V漏源电压下只有0.1mA，但持续工作10小时也会产生36焦耳热量。另外温度每升高10度，漏电流会翻倍，所以关断时温度管理很重要。实验数据表明，在50℃环境下，关断损耗占整个芯片损耗的60%，而导通损耗反而只有30%。这就是为什么设计时要同时优化Rds(on)和耐压值的原因。