用指针万用表红表笔接栅极，黑表笔接源极，正常ID值在几百欧姆到几千欧姆之间，反接电阻无穷大。测试前先断电，确保安全再调到电阻档。若导通电阻太小或反接电阻有阻值，说明漏电流大或击穿。

为什么是这个答案？因为MOS管栅极和源极间存在二氧化硅绝缘层，测试时正向偏压下导通电阻小，反向偏压下绝缘层阻断电阻无穷大。以2N7000为例，正常ID值约200-500欧姆，反接电阻＞10兆欧。若导通电阻＜50欧姆，说明存在栅极漏电流（实测数据：漏电流＞1mA即为不良）。若反接电阻＜1兆欧，说明绝缘层失效（击穿电压＜20V即为损坏）。测试时若表针摆动幅度小，说明内阻大；若摆动幅度大且不回位，说明存在短路或断路。这些现象与MOS管工艺参数直接相关，比如栅极氧化层厚度（0.1-0.5μm）和掺杂浓度（磷掺杂浓度5×10²⁵/cm³）。测试时环境温度＞40℃会略微增大导通电阻，但不会超过正常范围3倍。若多次测试结果差异＞20%，可能是表笔接触不良或MOS管老化。