当栅极电压高于开启电压时，沟道就会形成，电流开始流动，这时候管子就导通了。开启电压就像给管子设定的门槛，只有栅极电压超过这个值，漏源之间才会出现导电通道。比如常见的2n7000晶体管，开启电压大概在0.7到1.2伏之间，低于这个电压就像没插钥匙的锁，根本打不开。

这个答案的核心是解释开启电压的作用机制。nmos在关断状态时，栅极和源极之间没有导电沟道，这时候无论漏极电压多高都不会导通。当栅极电压达到开启电压Vth时，栅极下的二氧化硅绝缘层被打破，形成导电沟道。根据半导体物理公式，沟道形成需要栅极电压Vg≥Vth+Vds。以实际器件为例，比如微芯的MCP2221A芯片上的nmos，Vth典型值是0.7V，当Vg超过0.7V时，即使Vds只有0.1V，沟道也会形成。但要注意，当Vds超过Vth时，沟道长度会缩短，导致导通电阻增大，这时候需要更高的栅极电压来维持导通。所以开启电压既是导通的最低条件，也是影响导通效率的关键参数。