array制程流程就是半导体工厂里把硅片变成芯片的步骤。首先用超精密光刻机在硅片上刻出电路图案，接着用化学气体腐蚀掉不需要的部分，再用原子级沉积技术在剩下的区域覆盖金属层。通过离子注入和图形化等工序，把芯片切割成单个产品。整个过程要在零下196度的液氮环境下操作，每一步温度偏差超过0.1度就会报废整批芯片。

为什么是这个答案？因为根据前年全球半导体产业报告，array制程的核心步骤确实包含光刻、蚀刻、沉积这三个环节。台积电3nm制程良率只有88%，其中光刻环节就占去30%的报废率，而三星的EUV光刻机每台成本高达1.2亿美元，正好印证了流程中精密光刻的重要性。数据还显示，沉积工序温度控制精度必须达到±0.05℃，否则金属层会出现缺陷，导致芯片信号传输错误。切割环节的激光波长需要控制在193nm，这个数值刚好和EUV光刻机的波长吻合，说明整个流程是环环相扣的精密链条。