场效应管主要是通过控制栅极电压来改变沟道导通情况，从而调节电流大小。它分为结型MOS和金属氧化物半导体两种类型，结型MOS用PN结控制，而MOS用绝缘层隔离。当栅极电压高于阈值电压时，沟道形成导电路径，电流开始流动；电压越低，沟道越窄，电流越小。比如MOS管在3V电压下就能正常工作，而结型MOS需要更高的电压才能开启。

场效应管为什么是这个驱动方式呢？因为它的核心原理是利用电压产生的电场效应来控制沟道导电。比如MOS管的阈值电压通常在2V到5V之间，当栅极电压超过这个值时，绝缘层下的电子被吸引形成沟道。实验数据显示，MOS管在栅压3V时导通电阻仅为10Ω，而关断时电阻超过1MΩ，这种高对比度特性使其成为数字电路的理想选择。结型MOS虽然结构简单，但迁移率较低（约100cm²/(V·s)），导致开关速度不如MOS管。比如MOS在低电压下就能工作适合数字电路而结型MOS在高频下有优势。