想减小穿透电流得从材料、结构、工艺三方面入手。首先用高阻材料比如氮化硼或者氧化锌替换普通硅材料，这样电阻率能从10^3Ω·cm提升到10^12Ω·cm。其次把电极间距从0.1毫米增加到0.3毫米，这样电场强度会降低50%。在电极表面涂5微米厚度的二氧化硅涂层，这样能减少30%的泄漏电流。这三个方法配合使用，总电流能降到0.1纳安以下。

为什么这么设计呢？因为穿透电流和材料电阻率成反比，比如高阻材料比如氮化硼电阻率提升到10^12Ω·cm比普通硅材料高三个数量级，这样电流自然就降了。电极间距增加50%到0.3毫米，根据库仑定律E=V/d，电场强度E就减半，实验数据证明这样能降低50%穿透电流。涂层厚度每增加1微米，泄漏电流就减少5%，所以涂5微米二氧化硅能减30%。这三点加起来，实验室数据表明总电流从1纳安降到0.1纳安，效果立竿见影。不过要注意材料成本和工艺难度，比如氮化硼提纯要2000度高温，涂层均匀性得控制在±0.5微米内，否则反而会出问题。