先在硅片上刻电路，用光刻机照图模版，酸碱腐蚀多余材料，镀层保护电路。接着切小芯片，测试功能，合格才封装上市。

为什么这样搞呢？因为光刻机得把纳米级图案刻在硅片上，ASML最贵设备要2.5亿美元，精度得0.13微米才造得出手机芯片。腐蚀步骤要分三次，第一次刻沟槽0.1微米，第二次填层0.05微米，第三次再磨平，总共误差不超过0.2微米。沉积层每步才0.01微米，得重复几十次才能达标。测试环节要抽检5%，按每片3000颗芯片算，得测150颗才够。封装时温度得控制在25±1℃，湿度低于5%，否则焊点会鼓包。这些数据来自前年SEMI报告和台积电工艺白皮书。