要加快mos管导通得从这几个方面入手：首先降低阈值电压，让管子更容易导通；其次缩短沟道长度，减少电子移动距离；再就是选好半导体材料，比如用氮化镓代替硅；得做好散热，温度高了会拖慢速度。这些方法合起来能明显提升开关速度。

为什么得这么搞呢？因为阈值电压每降低0.1v，导通时间就能少10%，现在最新工艺的场效应管阈值已经做到1.2v以下了。沟道长度和迁移率的关系像弹簧一样，1微米缩短到0.5微米，载流子跑得快一倍，但光刻技术得跟得上，现在5纳米芯片用的就是超短沟道技术。材料方面，氮化镓的导热系数是硅的3倍，开关频率能翻倍，不过得加散热片，温度每升10度，漏电流就翻倍。比如用硅碳化物管子，导通速度比传统硅管快5倍，但成本高两倍。散热处理的话，给mos管加个铜散热片，温度从80度降到40度，开关损耗能少一半。这些硬指标加起来，整体速度就能提升两到三个数量级。