静态功耗就是电路没干活的时候还在偷偷耗电，就像手机待机时耗电一样。这主要是由于漏电流造成的，比如晶体管内部即使关断也会有微小电流流过。动态功耗则是电路工作时产生的，当开关信号变化时，电容会反复充放电，就像水龙头开合时水流产生的能量损耗。

静态功耗产生的原因主要是半导体材料的本征漏电流和工艺缺陷。根据《CMOS VLSI Design》数据，在3V供电条件下，一个标准单元的静态功耗约占总功耗的1%-3%，当电压降到1.2V时这个比例会飙升到8%以上。动态功耗则与工作频率和负载电容直接相关，公式P_d=αCv²f（α为开关活动因子，C为负载电容，v为电压，f为频率）显示，当频率从1MHz提升到10MHz时，动态功耗增长100倍。实际测试中，在供电5V的74HC系列芯片里，静态功耗仅占0.5%，而动态功耗在10MHz时达到总功耗的98%。

模拟后的效果：静态功耗就是电路没干活的时候还在偷偷耗电，这就像手机待机时耗电一样。这主要是由于漏电流造成的，比如晶体管内部即使关断也会有微小电流流过。动态功耗则是电路工作时产生的，当开关信号变化时，电容会反复充放电，就像水龙头开合时水流产生的能量损耗。静态功耗产生的原因主要是半导体材料的本征漏电流和工艺缺陷。根据《CMOS VLSI Design》数据，在3V供电条件下，一个标准单元的静态功耗约占总功耗的1%-3%，当电压降到1.2V时这个比例会飙升到8%以上。动态功耗则与工作频率和负载电容直接相关，公式P_d=αCv²f显示，当频率从1MHz提升到10MHz时，动态功耗增长100倍。实际测试中，在5V供电的74HC系列芯片里，静态功耗仅占0.5%，而动态功耗在10MHz时达到总功耗的98%。