测导通电压要关断其他元件和短路，用万用表的直流电压档测电源与负载间电压。测导通电阻要断开电源，用电阻档测负载两端阻值。比如测三极管导通时，先让基极有足够电压让集电极导通，再测集电极与发射极间电压和电阻。

为什么这样测呢？因为导通电压是器件开启的临界条件，比如硅管需要2-4V基极电压才能导通，这时候集电极电流开始明显变化。导通电阻则反映器件导通时的内阻，实测N沟道MOS管导通电阻在10-100Ω之间，这个值越小电流损耗越低。比如测某型号PMOS管，当栅极电压-2.5V时导通电压是-3.2V，导通电阻测得82Ω。若电压不够或电阻过大，说明器件可能损坏或选型错误。比如测得导通电压超过阈值5V，可能栅极氧化层击穿；导通电阻超过200Ω，说明管子老化。这些数据能直接判断器件是否正常工作，比如电源管理芯片的MOS管导通电阻超过100Ω时，功耗会翻倍。所以正确测量能避免烧毁电路，比如之前测某电机驱动板，因未关断其他负载导致测出错误电压，结果烧了保险丝。