要测nmos管好坏先找万用表调到电阻档。先测G极和S极（黑表笔接G红表笔接S）正常电阻应大于1兆欧，然后调转表笔测G和D（黑表笔接G红表笔接D）电阻也大于1兆欧。测S和D（黑表笔接S红表笔接D）电阻应接近零。如果测得任一档电阻异常就说明管子坏了。

为啥要这样测呢？因为nmos管正常工作时G极电压高于S极和D极，所以G与S、G与D之间是高阻态，而S与D之间是低阻态。根据半导体物理公式R=ρL/A，当栅极电压未开启时，沟道未形成，电阻值由材料电阻率（n型硅约2300Ω·cm）和沟道尺寸决定。实测数据显示，正常nmos管反向电阻普遍在500kΩ-10MΩ之间，而损坏管子可能因击穿或断路导致电阻低于10kΩ或无限大。比如STP16NF06L漏极饱和电压Vds≤20V时，正常S-D间电阻应＜50Ω，若测出＞100Ω说明沟道失效。测试时注意表笔接触点要干净，手汗多的话会影响读数，最好用砂纸打磨引脚再测。