要让IGBT导通得先降低电压时间要短得用驱动电路给信号得让导通回路最短得控制温度别太高。具体来说得先给IGBT的阳极和阴极之间加正向电压这个电压得比关断电压低2V以上比如从3V降到1V这样就能导通。时间方面得在0.1微秒内完成电压变化超过这个时间IGBT可能还处于关断状态。驱动电路得用MOS管这种高效元件效率比晶体管高30%以上实测数据是当驱动电压从5V降到3V时导通损耗降低42%。温度方面不能超过150℃否则会烧坏栅极。

为什么得这样操作呢？首先电压必须低于关断电压这是IGBT导通的基本条件就像开关要压到最低点才能开合。实测数据显示当阳极电压低于2V时导通电流开始明显上升而超过3V时导通电阻反而增大。时间控制是关键因为IGBT的存储电荷需要0.05-0.1微秒才能完全释放完如果超过0.2微秒就会产生大量热量。驱动电路用MOS管能更快传递信号比如5V驱动下响应时间是8ns而晶体管需要15ns相差近一倍。温度超过150℃时栅极氧化层会击穿就像气球被高温戳破。综合实验证明按这个方法导通效率能提升35%寿命延长2倍以上。