实际器件的功耗主要看电压乘电流这个公式，比如晶体管工作时要算导通时的电压差和流过的电流。不同器件计算方式差不多，但要注意导通压降和散热影响。比如MOS管比普通晶体管导通压降更低，同样电流下耗电更少。

为什么是这个答案呢？因为功率器件工作时电流流经导通区域会产生电压差，这个差值乘以电流就是瞬时功耗。以晶体管为例，导通压降约0.2V，若电流10A，功耗就是2W；而MOSFET导通压降0.1V，同样电流下功耗1W。实际测试数据也显示，当温度超过60℃时，导通压降可能增加0.05V，这时候功耗会额外上升。另外散热片散热效率每降10%，器件温度就涨5℃，导致导通压降增大，形成恶性循环。所以设计时要同时考虑电压差、电流值和散热条件，三者缺一不可。